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簡(jiǎn)要描述：硅基高速納秒NS光開(kāi)關(guān)器件 無(wú)移動(dòng)組件； 切換速度快； 極其穩(wěn)定的鎖存模式； 低功耗； 好的穩(wěn)定性和可靠性。二、應(yīng)用高速保護(hù)；系統(tǒng)監(jiān)控；?測(cè)試測(cè)量。
產(chǎn)品型號(hào)：ZG廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-12-25訪 問(wèn) 量：1992產(chǎn)品分類(lèi)
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | 梓冠 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類(lèi)別 | 光學(xué)元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合 |
| 波長(zhǎng) | 1525~1565nm | 封裝形式 | 器件 |
硅基高速納秒NS光開(kāi)關(guān)器件
無(wú)移動(dòng)組件；
切換速度快；
極其穩(wěn)定的鎖存模式；
低功耗；
好的穩(wěn)定性和可靠性。
二、應(yīng)用
高速保護(hù)；
系統(tǒng)監(jiān)控；
測(cè)試測(cè)量。
三、硅基高速2×2納秒光開(kāi)關(guān)器件及模塊規(guī)格參數(shù)
參數(shù) | 單位 | 范圍 |
波長(zhǎng)范圍 | nm | 1540~1560 |
插入損耗 | dB | 直通損耗：1.8~2； 交叉損耗：1.8~2； |
偏振相關(guān)損耗 | dB | 0.3~0.5 |
開(kāi)關(guān)時(shí)間 | ns | 200~350 |
回波損耗 | dB | 40~50 |
串?dāng)_ | dB | -20~-17 |
供電電壓 | v | 5 |
供電電流 | mA | 環(huán)境溫度≥25℃，100mA； 環(huán)境溫度≤25℃，900mA |
控制信號(hào)（TTL3.3V信號(hào)） | 高電平2V≤VIH≤5V； 低電平0V≤VIL≤0.8V； | |
光接口 | FC/APC | |
尾纖 | 以松纖方式引出，帶松套管，長(zhǎng)度1m | |
工作溫度 | ℃ | -25℃~45℃ |
貯存溫度（℃） | ℃ | -55℃~85℃ |
要求：對(duì)于任意型號(hào)2×2光開(kāi)關(guān)，輸入和輸出編號(hào)相同時(shí)候?yàn)橹蓖▊鬏?，不同為交叉?zhèn)鬏敗?/span>
尺寸項(xiàng)目 | 尺寸值（mm） |
L：長(zhǎng)（mm） | 90±0.3 |
W：寬（mm） | 50±0.3 |
H：高（mm） | 13.5±0.2 |
安裝孔間距（mm） | 84.5±0.15 |
安裝孔間距（mm） | 44.5±0.15 |
固定孔（4個(gè)） |
硅基高速納秒NS光開(kāi)關(guān)器件
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