SOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片

簡要描述：SOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit

產品型號：ZG
廠商性質：生產廠家
更新時間：2025-05-10
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品牌	梓冠

硅基單片集成 9bit 可調光時延線芯片

〖簡介Introduction〗

單片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統采用微波傳輸線的電時延芯片，光時延器可以適用任意的微波和毫米波頻段，具有極低的串擾非目標時延信號消光比。最大時延 1ns 的 9bit 可調光延時芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度減小系統體積；由于光載波頻率相對于微波信號大至 4 個數量級的頻率比，光子集成的時延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號處理能力，適合各類超寬帶相控陣的波束合成應用。

〖特性Features〗

n 高速切換（100～200ns）

n 高延時精度（0.5ps 典型值，0.2ps 可達）

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態波導芯片可靠性強

n 大時延范圍(～2ns 可達)

n 高功率耐受度（ 23dBm 典型值）

應用Applications〗

n 光控相控陣系統、超寬帶光域信號處理

〖主要性能指標 Specifications〗

性能指標/Parameter	單位/Unit	典型值/Typ.	備注/Notes
工作波長/Operationwavelength	nm	1530-1570
延時位數/Delay bits	/	9	可定制/Can be customized
最小延時步進/Min.step-delay	ps	2	可定制/Can be customized
可調節最大延時量/Adjustable max.delay	ps	1022
延時精度	ps	±0.5	≤16ps 延時量
		±1	18~64ps 延時量
		±2	66~512ps 延時量
		±3	514~1022ps 延時量
延時切換時間/Delay switching time	ns	200
插入損耗/Insertion loss	dB	11	13dB max
各延時態損耗差異/Delay state loss difference	dB	±1
耐受光功率	dBm	23	26dBm max
回波損耗/Return loss	dB	45
芯片尺寸/Chip dimension	mm	20×15×0.7

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